买卖IC网 >> 产品目录 >> NE650103M 射频GaAs晶体管 RO 551-NE650103M-A datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

NE650103M

库存数量：可订货
制造商：NEC/CEL
描述：射频GaAs晶体管 RO 551-NE650103M-A
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 射频GaAs晶体管
描述 射频GaAs晶体管 RO 551-NE650103M-A
NE650103M PDF下载
制造商 NEC/CEL
技术类型 MESFET
频率 2.3 GHz
增益 11 dB
噪声系数
正向跨导 gFS（最大值/最小值）
漏源电压 VDS 15 V
闸/源击穿电压 - 18 V
漏极连续电流 7 A
最大工作温度 + 175 C
功率耗散 33 W
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 3M
相关资料
属性
链接
代理商 NE650103M
NE650103M-A
NE6501077
NE650R479A-T1
NE6510179A
NE6510179A-A
供应商
公司名
电话
上海鑫科润电子科技有限公司 18521007236 鑫科润
北京耐芯威科技有限公司 010-62962871 刘先生
深圳市毅创辉电子科技有限公司 19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697 雷春艳
深圳市毅创辉电子科技有限公司 19129491934(手机优先微信同号) 何芝
深圳市硅宇电子有限公司 13424293654 唐先生
深圳市逸盛通科技有限公司 13316584388 林廷
深圳市鹏展胜电子有限公司 0755-82769203 林先生
深圳成德兴科技有限公司 0755-82567711 马庆勇
深圳市腾宇创科电子有限公司 13410391243 陈志凡
甄芯网 0755-83665813 柯先生/赵小姐
  • NE650103M 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
  • NE650103M 相关型号
  • CFY 25-20P (H)
    射频GaAs晶体管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET
    CFY 25-20P (P)
    射频GaAs晶体管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET
    CFY25-20 (S)
    射频GaAs晶体管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET
    NE25118-T1-U73
    射频GaAs晶体管 Dual Gate MESFET
    CFY25-23 (P)
    射频GaAs晶体管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET
    NE8500295-8
    射频GaAs晶体管 2W C Band MESFET
    NE651R479A
    射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs HJFET
    NE25118-U73
    射频GaAs晶体管 Dual Gate MESFET
    NE72218
    射频GaAs晶体管 RO 551-NE34018 5/04
    NE8500295-4
    射频GaAs晶体管 2W C Band MESFET