买卖IC网 >> 产品目录 >> NE650103M 射频GaAs晶体管 RO 551-NE650103M-A datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

NE650103M

库存数量：可订货
制造商：NEC/CEL
描述：射频GaAs晶体管 RO 551-NE650103M-A
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 射频GaAs晶体管
描述 射频GaAs晶体管 RO 551-NE650103M-A
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制造商 NEC/CEL
技术类型 MESFET
频率 2.3 GHz
增益 11 dB
噪声系数
正向跨导 gFS（最大值/最小值）
漏源电压 VDS 15 V
闸/源击穿电压 - 18 V
漏极连续电流 7 A
最大工作温度 + 175 C
功率耗散 33 W
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 3M
相关资料
属性
链接
代理商 NE650103M
NE650103M-A
NE6501077
NE650R479A-T1
NE6510179A
NE6510179A-A
供应商
公司名
电话
深圳市毅创辉电子科技有限公司 19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697 雷春艳
深圳市毅创辉电子科技有限公司 19129491934(手机优先微信同号) 何芝
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深圳市硅宇电子有限公司 13424293654 唐先生
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深圳市正永电子有限公司 0755-23930354 陈小姐
深圳市深科创科技有限公司 0755-83247290 吴先生/吴小姐/朱先生
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  • NE650103M 参考价格
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